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中国电力行业痛失“巨星”

时间:2019年12月6日 浏览:462 次

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    2019年12月4日17时10分,“中国功率器件领路人”陈星弼在四川成都逝世,享年89岁。陈星弼,1931年1月出生于上海,1952年毕业于国立同济大学电机系,先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作,1956年开始在电子科技大学任教,1999年当选中国科学院院士。


 
    他是国际半导体界著名的超结结构(SuperJunction)的发明人,该发明被称为“功率器件的新里程碑”。
 
    2018年,在功率半导体领域最顶级的学术年会上,陈星弼院士入选ISPSD首届名人堂,成为国内首位入选名人堂的华人科学家。
 
    经过多年的试验,陈星弼通过改变功率管的结构,发明了复合缓冲耐压结构,现称为超结器件(SUPER-JUNCTION)。它的优点是导通电阻低,易驱动,速度快。该技术已经获得美国和中国发明专利。自1998年起,国外已有8家公司在制造。这个方法的工艺被改进后,成本大大下降,目前已成为一种重要产品,科技成果转化市场规模每年超过10亿美元。
 
    20世纪90年代初,行业内专家认为,陈星弼的几项发明成为第二次电子革命的突破口,这一创新在十年内将无人能突破。
 
    国外专家对陈星弼及其发明给予高度评价:“陈教授是电子学科领域的知识巨匠,是国家的宝藏,应该被认为是中国现代的英雄。”
 
    有专家提到陈星弼的发明对半导体业界革命性的影响说:“他们所发布的这些专利和发明,真真切切地在功率半导体技术方面引发了一场革命。”
 
    大师远去,荣光犹存。

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